Faʻatasi ma le lelei atoatoa o faʻatinoga o mea masani Al2O3 ma BeO substrate, Aluminium Nitride(AlN) ceramic, lea e maualuga le vevela conductivity (monocrystal's theoretical conductivity vevela e 275W/m▪k， polycrystal's theoretical conductivity vevela e 70~210W/mk. ), maualalo le dielectric faifai pea, fa'amama fa'alauteleina fa'atasi fa'atasi ma se tasi tioata tioata, ma mea lelei fa'alumaina eletise, o se mea lelei mo substrates matagaluega ma afifiina i le alamanuia microelectronics.Ose mea taua fo'i mo le maualuga o le vevela o vaega fa'amea fa'ameamea ona o le lelei o le maualuga o le vevela o mea fa'ainisinia, mea vevela ma le mautu o vaila'au.
Ole maualuga ole AlN ole 3.26g/cm3, ole malosi ole MOHS ole 7-8, ole vevela ole potu e sili atu nai lo le 1016Ωm, ma le vevela ole 3.5 × 10-6/℃ (vevela ole potu ole 200℃).O sima AlN mama e leai ni lanu ma manino, ae o le a eseese lanu e pei o le efuefu, efuefu pa'epa'e po'o le samasama moli, ona o le le mama.
I le faaopoopo atu i le maualuga o le vevela, o le AlN ceramics o loʻo i ai foi tulaga lelei:
1. Fa'amama eletise lelei;
2. Fa'apena fa'alautele fa'avevela fa'atasi ma le silicon monocrystal, sili atu i mea e pei o Al2O3 ma BeO;
3. Malosi fa'ainisinia maualuga ma le malosi fa'afefe tutusa ma Al2O3 ceramics;
4. feololo le dielectric tumau ma dielectric gau;
5. Faʻatusatusa i le BeO, o le faʻauluina vevela o AlN ceramics e itiiti le afaina i le vevela, aemaise lava i luga ole 200 ℃;
6. Tete'e maualuga o le vevela ma le pala;
7. Le oona;
8. Fa'aoga i alamanuia semiconductor, alamanuia metallurgy kemisi ma isi fanua alamanuia.
Taimi meli: Iul-14-2023