Fa'atasi ai ma le fa'atinoga atoatoa o mea masani o le Al2O3 ma le BeO substrate, o le Aluminum Nitride (AlN) ceramic, lea e maualuga le conductivity o le vevela (o le monocrystal's theoretical thermal conductivity e 275W/m▪k, o le polycrystal's theoretical thermal conductivity e 70~210W/m▪k), maualalo le dielectric constant, thermal expansion coefficient e fetaui ma le single crystal silicon, ma lelei le electrical insulation, o se mea lelei mo circuit substrates ma afifiina i le alamanuia microelectronics. O se mea taua fo'i mo vaega o le seramika fausaga maualuga le vevela ona o le lelei o le vevela maualuga o meatotino fa'amasini, meatotino vevela ma le mautu o vaila'au.
O le mafiafia fa'ateorē o le AlN e 3.26g/cm3, o le malosi o le MOHS e 7-8, o le tete'e atu i le vevela o le potu e sili atu i le 1016Ωm, ma le fa'alauteleina o le vevela e 3.5×10-6/℃ (vevela o le potu e 200℃). O keramika mama AlN e leai ni lanu ma e manino, ae o le a eseese lanu e pei o le efuefu, efuefu pa'epa'e po'o le samasama vaivai, ona o mea leaga.
I le faʻaopoopoga i le maualuga o le conductivity thermal, o loʻo iai foʻi faʻamanuiaga nei o le AlN ceramics:
1. Puipuiga lelei mai le eletise;
2. E tutusa le fa'alauteleina o le vevela ma le silicon monocrystal, e sili atu nai lo mea e pei o le Al2O3 ma le BeO;
3. Malosiaga fa'amekanika maualuga ma le malosi fa'afoliga tutusa ma keramika Al2O3;
4. Feololo le tumau o le dielectric ma le leiloa o le dielectric;
5. Pe a fa'atusatusa i le BeO, e itiiti le a'afiaga o le vevela i le fa'atinoina o le vevela o keramika AlN, aemaise lava i luga atu o le 200 ℃;
6. Tete'e i le vevela maualuga ma le tete'e i le 'ele;
7. E le oona;
8. Ia faʻaaogaina i le alamanuia semiconductor, alamanuia metallurgy vailaʻau ma isi matata tau alamanuia.
Taimi na lafoina ai: Iulai-14-2023